Немаловажно знать значение многих параметров в биосе для максимально эффективного и безопасного разгона.
CPU PLL Voltage — что это такое?
Напряжение питания системы Phase Locked Loop (PLL) или по-русски система фазовой авто-подстройки частоты (ФАПЧ), которая необходима только для повышения стабильности работы разогнанных процессоров. Незначительное повышение значения может улучшить стабильность разгона, иногда — ухудшить. В большинстве случаев — достаточно минимальной напруги либо авторежим.
- Выбор значение например может быть [Auto] [1.50V] [1.60V] [1.70V] [1.80V].
- CPU PLL Voltage можно использовать тогда, когда исчерпаны возможности по вольтажу процессора (CPU Voltage).
- Если указываете в CPU PLL Voltage авто, тогда в Internal PLL Overdrive также нужно устанавливать авто (если такая опция вообще присутствует).
Параметр в биосе материнки AsRock:
DRAM Voltage — что это такое?
Указывается напряжение модулей оперативки. Обычным планкам необходимо штатных 1.5 В либо режим Auto.
- Параметр обычно изменяют при разгоне — соответственно чем напруга выше, тем выше частота. Для достижения стабильности поднимать напряжение нужно минимальными шагами.
- В некоторых биосах чтобы увидеть DRAM Voltage нужно выставить Manual в Ai Overclocking.
- Напряжение DRAM Voltage можно посмотреть утилитой AIDA64, однако программный способ — не самый надежный.
- Режим авто выставляет напругу, указанную в Serial Presence Detect (SPD) — специальная флеш-память, стоящая на каждой планке оперативки, содержащая штатные параметры работы, а также служебную информацию (например дата выпуска).
Опция в биосе Asus:
NB Voltage Control — что это такое?
Отвечает за напряжение северного моста (чип на плате, часто охлаждается специальным радиатором). Возможные значения: Low, Middle, High, Highest (Низкое, Среднее, Высокое, Высочайшее напряжение). NB расшифровывается как North Bridge.
На заметку: шина FSB жестко привязана к NB Voltage.
- Например на материнке Asus значения могут быть от 1.10000 до 1.25000 В с шагом 0.00625 В.
- На одном форуме найдена информация, что NB Voltage Control меняет напругу на контроллере памяти в самом процессоре. Почему не северный мост? Контроллер памяти в севером мосту, который присутствовал на платах старого образца (например 775-тый сокет). В новых платах, например 1155, 1150 сокет и новее — контроллер памяти перенесен уже в сам процессор.
- Не стоит путать параметры CPU NB VID Control и NB Voltage Control, первый отвечает за напругу, подаваемую на контроллер памяти, второй — за напругу северного моста.
Опция NB Voltage Control в биосе:
Заключение
Мы рассмотрели некоторые параметры разгона.
Помните, разгоняя железо вы теоритически уменьшаете срок службы. Поэтому: при разгоне нужен качественный блок питания (советую Seasonic, FPS), водяное охлаждение, не помешают дополнительный кулер на цепях питания процессора (мосфеты, дроссели).
Добавить комментарий Отменить ответ
Этот сайт использует Akismet для борьбы со спамом. Узнайте как обрабатываются ваши данные комментариев.
Как разогнать оперативную память и зачем это делать
После установки оперативная память работает на минимальной частоте. Купив планку ОЗУ с тактовой частотой 2400 МГц, можно с удивлением обнаружить, что она функционирует на 1600 МГц.
Зачем добиваться максимальной производительности оперативной памяти
Чем больше МГц, тем выше пропускная способность чтения и записи, больше операций выполняется за одну секунду. Архивация файлов с помощью WinRAR происходит на 40% быстрее. В этом обзоре наглядно показано, как влияет разгон Kingston HyperX FURY на скорость обработки информации.
Чтобы сэкономить себе время на поиски оптимального тайминга, можно воспользоваться программой «Drum Calculator for ryzen». ОЗУ, работающая с минимальным таймингом и максимальной частой, больше нагружает процессор, что отражается на количестве FPS в играх. Пример использования калькулятора и удачного разгона здесь.
А здесь можно посмотреть детальное и полномасштабное тестирование изменения частот и таймингов с приростом 6–14 FPS.
Совместимость
Оперативная память работает на чистоте самого медленного модуля. Если установлено несколько планок разных производителей или серий, может возникнуть конфликт совместимости, тогда операционная система не запустится.
Чтобы выжать из железа максимум, надо устанавливать модули памяти из одной серии. В этом обзоре показана разница между двухканальным и одноканальным режимом работы ОЗУ.
В двухканальном режиме необходимо устанавливать планку через один слот. Тут продемонстрирована комплексная работа планок оперативки из одной серии.
Правила разгона
Не все материнские платы поддерживают разгон. Китайские «ноунеймы» в особенности любят блокировать возможность увеличить производительность вручную, оставляя только автоматическое поднятие частот.
Turbo Boost — это всегда разгон в щадящем режиме, протестированный производителем и максимально безопасный. Чтобы получить производительности на 5–10% больше, потребуется поработать ручками. Контроллер памяти процессора не даст разогнать оперативную память выше собственных параметров частоты.
Спасительная кнопка отката
Вывести из строя оперативную память, меняя частоту — невозможно. Со слишком высокими параметрами ПК просто не запустится. Если после нескольких загрузок все еще появляется «синий экран смерти», необходимо сбросить настройки на заводские параметры. Делается это с помощью перемычки «CLR CMOS», на некоторых материнках он подписан, как «JBAT».
Настройка частоты и тайминги памяти
Есть два способа разгона — автоматический и ручной. Первый вариант безопасен, второй позволяет добиться большей производительности, но есть риск сбоя ОС и физического повреждения ОЗУ. Для увеличения частоты оперативной памяти используется BIOS.
Автоматическая настройка
Специальное программное обеспечение «Extreme Memory Profiles» для процессоров Intel позволяет быстро настроить уже готовые профили разгона. У фанатов AMD есть свой софт от MSI. Применяя автоматические настройки, мы получаем оптимальные параметры задержки.
Разгон серверной ОЗУ
Рассмотрим автонастройки частоты на примере материнской платы x79 LGA2011 с процессором Intel Xeon E5-2689. Серверная оперативная память — 2 планки Samsung по 16 Gb с частотой 1333 MHz, работающие в двухканальном режиме, тайминг — 9-9-9-24.
Путь к разгону лежит через BIOS, вкладка «Chipset», раздел «Northbridge» — параметры северного моста.
Выбираем настройку «DDR Speed». Параметр «Auto» меняем на «Force DDDR3 1600». Сохраняем, перезагружаемся. Запускаем тест в программе AIDA 64, выбрав в меню «Сервис» задачу «Тест кэша и памяти», затем жмем «Start Benchmark».
В синтетическом тесте скорость чтения, записи и копирования увеличилась почти на 20%. «Memory Bus» поднялся до 800 MHz, тайминг — 11-11-11-28.
Возвращаемся в BIOS, ставим «Force DDDR3 1866».
При таких настройках прирост производительности достигает 39%. Процессор разогнался автоматически с 2600 MHz до 3292,5 MHz, прирост CPU составил 26%, параметры тайминга — 12-12-12-32.
Разгон с помощью профиля XMP от MSI
В современные планки ОЗУ устанавливается SPD-чип с предустановленными профилями разгона, позволяя увеличивать частоту до 3200 MHz. Для разгона такой оперативки выбираем функцию «XMP» в BIOS.
Опускаемся вниз, не трогая остальные настройки, указываем «Профиль 1». Сохраняем изменения, тестируем в Benchmark.
Ручная настройка
Включаем компьютер. Для перехода в BIOS нажимаем клавишу «F1» или «Delete» — в зависимости от материнки. Переходим в раздел, отвечающий за центральный процессор и оперативную память, ищем строку с параметром частоты ОЗУ.
Если в BIOS есть пункт «MB Intelligent Tweaker (M.I.T.)», нажимаем «Ctrl + F1» в главном меню — должна появиться еще одна категория с настройками. В ней находим строку «System Memory Multiplier».
Если пункта M.I.T. нет, скорей всего, используется «AMI BIOS». Ищем вкладку «Advanced BIOS Features», переходим к параметру «Advanced DRAM Configuration».
Если установлен «UEFI BIOS», нажимаем «F7» — раздел «Advanced Mode», переходим к вкладке «Ai Tweaker», изменяем частоту, используя выпадающее меню «Memory Frequency».
Метод научного тыка
Теперь рассмотрим подробнее, как разогнать частоту, тайминг. Сразу «давить на газ» не стоит, параметр частоты увеличиваем плавно. Для сохранения нажимаем «F10», перезагружаемся и смотрим результаты с помощью теста Benchmark в AIDA 64 или в другой программе. Универсальных параметров разгона ОЗУ нет, данные ниже предоставлены для ориентира.
Параметр «System Memory Multiplier» позволяет разогнать ОЗУ, изменяя множитель. При изменении частоты, автоматически меняются и базовые тайминги.
Поиграв с вариациями частоты, переходим к нижней строчке «DRAM Timing Control», выставляем тайминги, переключившись с режима «Auto» на желаемые параметры.
Управление временем
Высокая частота и низкие тайминги позволяют увеличить производительность, высокие тайминги и высокая частота — снижают ее. Тайминги или задержка — это количество тактовых импульсов для выполнения операций ОЗУ. Уменьшаем значения с минимальным шагом — 0,5. Получив повышение показателей производительности, можно продолжить, снизив время отклика. Подбирать правильные настройки придется методом проб и ошибок.
Повысить производительность оперативки можно, увеличивая напряжение с помощью параметра «Voltage Setting», безопасно 1.2–1.35 В, максимум — 1.6 В. С этим пунктом стоит быть очень острожным, электричество — не игрушки, есть риск спалить ОЗУ и потерять гарантию.
Увеличение частоты оперативной памяти с помощью готовых профилей — самый простой и быстрый способ получить желаемую производительность. Вариант с ручными настройками больше подходит энтузиастам, для которых дополнительный прирост быстродействия на дополнительные 10–15% — дело принципа.
DRAM Voltage
Другие идентичные по назначению параметры: Adjust Extra DIMM Voltage, DDR SDRAM Voltage, Memory Voltage Regulator, VDIMM Voltage.
Опция DRAM Voltage (Напряжение модулей оперативной памяти) позволяет пользователю вручную установить величину одного из основных рабочих параметров модулей оперативной памяти. Значение напряжения в данной опции указывается в вольтах. В опции нередко можно встретить также вариант Auto, Normal или Default, который позволяет установить значение параметра по умолчанию. Также опция может носить и другие названия, например, Memory Voltage.
Принцип работы
Обычно модули оперативной памяти питаются током, имеющим определенное стандартное напряжение, величина которого зависит от типа и технологии изготовления модулей. Например, модули SDRAM в обычных условиях должны питаться током в 3,3 В, модули DDR – 2,5 В, модули DDR2 – 1,8 В, а модули DDR3 – 1,5 В. В последние годы были разработаны стандарты с еще более низким напряжением – DDR3L и DDR3U. Для модулей памяти, соответствующих первой спецификации, данная величина составляет 1,35 В, а для соответствующих второй – 1,25 В. Таким образом, хорошо заметна тенденция к уменьшению питающего напряжения в зависимости от усовершенствования технологии изготовления модулей памяти. Причину подобного явления легко понять, если учитывать, что снижение напряжения микросхем памяти позволяет уменьшить энергопотребление и тепловыделение памяти.
Хотя в большинстве случаев BIOS автоматически устанавливает нужное напряжение модулей, тем не менее, во многих BIOS пользователю может быть предоставлена возможность изменить значение данного параметра самостоятельно. Для этого и предназначена опция BIOS DRAM Voltage или Memory Voltage.
Какие же цели может преследовать увеличение штатного значения напряжения модулей памяти? Прежде всего, данная операция может применяться в ходе мероприятий по разгону аппаратных компонентов компьютера. Повышенное напряжение стабилизирует работу памяти при повышении частоты шины памяти, при этом обеспечивая приемлемые значения таймингов (задержек выполнения стандартных операций).
Способы выбора вариантов в опции могут варьироваться в зависимости от разновидности BIOS. Часто в опции пользователю предоставляется возможность повысить напряжение на небольшую величину (обычно до 0,3 В) с определенным шагом, например, в 0,1 В. Иногда пользователь может выбрать необходимое значение из списка. Также некоторые BIOS позволяют ввести необходимое число напрямую в текстовом поле. В качестве значения опции пользователь обычно может выбрать также вариант Normal или Automatic (Auto), который означает, что будет использоваться стандартное напряжение для той разновидности памяти, которую поддерживает материнская плата.
Обычно опцию DRAM Voltage можно найти в разделе BIOS, посвященном тонким настройкам производительности системы, где располагаются также такие параметры, как частоты процессора и памяти, напряжения процессора и элементов чипсета. Например, в BIOS от Award данный раздел может называться Motherboard Intelligent Tweaker, а в BIOS от American Megatrends – AI Tweaker.
Следует иметь в виду, что далеко не все материнские платы персональных компьютеров позволяют пользователю менять рабочее напряжение оперативной памяти. Однако это не всегда означает, что в BIOS подобных материнских плат отсутствует данная опция. В некоторых разновидностях опции она имеет лишь информационное значение, показывающее пользователю реальное текущее значение напряжения. Располагаются опции подобного рода в разделе BIOS, посвященном мониторингу параметров аппаратных компонентов персонального компьютера.
Какое значение опции выбрать?
Если вы не занимаетесь разгоном оперативной памяти компьютера, то лучше всего оставить значение по умолчанию, подходящее для вашего типа памяти, поскольку оно гарантирует бесперебойное функционирование аппаратной части компьютера. В противном случае вы можете установить самостоятельно необходимое вам значение. При этом следует помнить, что чрезмерное повышение напряжения модулей памяти, особенно тех, которые специально не предназначены для разгона, может привести к выходу модулей из строя. Кроме того, повышенное напряжение обычно приводит к перегреву модулей, а это, в свою очередь, потребует от вас позаботиться о дополнительном охлаждении системного блока.
GreenTech_Reviews
Постараемся разобраться что же означают разнообразные функции BIOS материнских плат на базе чипсета Intel Z77.
Ну что ж, вы купили плату на чипсете Z77, процессор с индексом «K» и хотите выжать из них все соки? Заходите в BIOS и видите много разных непонятных опций?
Тогда вы пришли по адресу.
Если вы пропустили семейство процессоров Sandy Bridge, то сразу возникает вопрос — куда делся параметр FSB? Ведь благодаря ему мы разгоняли наши процессоры в прошлом.
Теперь он называется BCLK и равен 100 МГц. Но разгонять придётся множителем (для этого мы и брали процессор с индексом «K»), т.к. разгон по «шине» теперь довольно сильно ограничен.
Заявленная максимальная температура в стресс-тестах — 105 градусов по Цельсию. Но не стоит перегибать палку и рекомендуется не выходить за рамки 85 градусов.
Превышение максимальных значений может привести к деградации или смерти процессора!
Администрация ресурса не несёт ответственности за ваши действия, если они приведут к выходу комплектующих из строя.
VCore (VCC) — напряжение на процессор. Intel не рекомендует превышать отметку 1.52 В. Но если вы охлаждаете процессор воздушным охлаждением или водой, то не превышайте порог 1.45 В.
CPU PLL (VCCPLL) — напряжение на интегрированный генератор тактовой частоты. Уменьшение напряжения может снизить температуру, но и уменьшить стабильность системы в разгоне. Снижение VCCPLL может привести к падению производительности в разгоне, поэтому не опускайте это напряжение ниже 1.71 В. Если вы установили максимально возможное напряжение VCore (VCC), то можете попробовать увеличивать VCCPLL. Но не превышайте порог 1.89 В.
VCCIO (QPI/VTT) — напряжение на интегрированный в процессор контроллер памяти. Не стоит менять значение, если вы разгоняете только процессор. Но для разгона памяти увеличение напряжения может помочь. Номинал обычно 1.05 В. Безопасный максимум 1.25 В.
VCCSA (IMC/System Agent). Если вы новичок, то не изменяйте этот параметр. Увеличение напряжения поможет стабилизировать систему при разгоне памяти и/или BCLK. Максимально допустимое значение — 1.1 В.
DRAM Voltage (DDR Voltage, VDIMM) — напряжение на оперативную память. Intel рекомендует не выходит за рамки 1.5 В, но огромная часть комплектов на рынке имеет рабочее напряжение 1.65 В. Выходить за пределы 1.65 В не рекомендуется.
VGFXVID (IGPU или IGFX Voltage) — напряжение на встроенное графическое ядро. Для разгона процессора изменять не имеет смысла. Максимально допустимое значение — 1.52 В.
Skew Driving Voltage — номинальное значение 1.05 В. Изменять надо только при охлаждении процессора до отрицательных температур при очень высоких значениях BCLK.
2nd VCCIO Voltage (в материнских платах ASUS серии ROG) — разделённое VCCIO, чтобы можно было контроллировать его отдельно. Обычно надо придерживаться их равным значениям, но при сильном разгоне для бенчмарков можно изменять это значение вне зависимости от основного VCCIO.
PCH Voltage — нет смысла изменять это значение при разгоне. На данный момент никакой связи с разгоном не выявлено.
VTTDDR — для памяти с частотой ниже 2400 МГц можно оставлять в Auto. Если вы планируете разгонять память свыше 2400 МГц, то для начала выставляйте 0.85 В. В идеале это значение должно быть равно половине значения напряжения на оперативную память (DRAM Voltage). Для корректного завершения теста Super Pi 32M увеличьте этот параметр на 1-2 шага — этого должно хватить.
DRAM DATA и CTRL References для всех каналов — по умолчанию равно половине значения напряжения на оперативную память (DRAM Voltage). Изменение этого параметра может увеличить стабильность системы на очень высоких частотах памяти.
LLC (Load-Line Calibration). Простыми словами, когда процессор достигает максимальной загрузки, то напряжение на него (VCore (VCC)) имеет свойство снижаться и система может уходить в BSOD (синий экран). Для решения этой проблемы и была придумана данная функция. Работа на каждой плате несколько отличается и названия уровней LLC могут отличаться, но смысл один — поддержание стабильного напряжения даже при 100% нагрузке на процессор.
CPU Spread Spectrum — рекомендуется выключать (Disabled) при разгоне. Иначе система может быть нестабильна.
BCLK Recovery — если данная функция включена, то когда при разгоне по BCLK система не проходит POST, частота BCLK сбрасывается до номинальных 100 МГц.
Настройка оперативной памяти в BIOS
Настраиваем RAM в BIOS
Изменять можно основные характеристики оперативной памяти, то есть тактовую частоту, тайминги и напряжение. Все эти показатели взаимосвязаны. И поэтому к настройке оперативной памяти в БИОС нужно подходить теоретически подготовленным.
Способ 1: Award BIOS
Если на вашей системной плате установлена прошивка от Phoenix/Award, то алгоритм действий будет выглядеть примерно так, как указано ниже. Помните, что названия параметров могут незначительно отличаться.
- Делаем перезагрузку ПК. Входим в БИОС с помощью сервисной клавиши или сочетания клавиш. Они бывают различные в зависимости от модели и версии «железа»: , , и так далее.
- Нажимаем комбинацию для входа в расширенные настройки. На открывшейся странице стрелками переходим в пункт и нажимаем .
Можно осторожно увеличить напряжение тока, подаваемого на RAM, но не более чем на 0,15 вольта.
Возвращаемся на главную страницу БИОС и выбираем параметр .
Настройки закончены. Выходим из BIOS с сохранением изменений и запускаем любой специальный тест для проверки стабильности работы системы и RAM, например, в AIDA64.
Способ 2: AMI BIOS
Если БИОС на вашем компьютере от American Megatrends, то кардинально значительных отличий от Award не будет. Но на всякий случай вкратце рассмотрим этот случай.
- Входим в BIOS, в главном меню нам нужен пункт .
Способ 3: UEFI BIOS
На большинстве современных материнских плат стоит UEFI BIOS с красивым и удобным интерфейсом, поддержкой русского языка и компьютерной мыши. Возможности по настройке RAM в такой прошивке очень широкие. Рассмотрим их подробно.
- Заходим в БИОС, нажав или . Реже встречаются другие сервисные клавиши, узнать их можно в документации или из подсказки внизу экрана. Далее переходим в , нажав .
На странице расширенных настроек переходим на вкладку , находим параметр и в выпадающем окне выбираем желаемую тактовую частоту оперативной памяти.
Продвигаясь ниже по меню, видим строку и нажав на нее, попадаем в раздел регулировки различных таймингов RAM. ПО умолчанию во всех полях стоит , но при желании можно попробовать поставить свои значения времени отклика.
Возвращаемся в меню и заходим в . Здесь можно попытаться чуть увеличить множители частоты RAM и ускорить её работу. Но делать это надо осознанно и осторожно.
Опять возвращаемся на прошлую вкладку и далее наблюдаем параметр , где можно изменять подаваемое на модули оперативной памяти напряжение электрического тока. Повышать вольтаж можно на минимальные значения и поэтапно.
Затем выходим в окно расширенных настроек и передвигаемся во вкладку . Там посещаем , страницу северного моста материнской платы.
Здесь нас интересует строка , на которую и нажимаем.
В следующем окне можно изменить параметры конфигурации модулей оперативной памяти, установленных в ПК. Например, включить или выключить контроль и коррекцию ошибок (ECC) RAM, определить режим чередования банков оперативной памяти и так далее.
Как вы увидели, настройка оперативной памяти в БИОС вполне возможна для опытного пользователя. В принципе, в случае ваших некорректных действий на этом направлении компьютер просто не включится или прошивка сама сбросит ошибочные значения. Но осторожность и чувство меры не помешает. И помните, что износ модулей RAM при увеличенных показателях соответственно ускоряется.
Как настроить оперативную память в БИОСе: инструкция в 4 простых разделах
Чтобы работа компьютерной системы ускорилась, можно «пошаманить» с RAM, увеличив ее производительность. Как и для чего еще нужно выставлять настройки ОЗУ, а также где в БИОСе сменить частотные и тайминговые настройки, расскажет статья.
Для чего нужно настраивать оперативную память в БИОСе
После установки ОЗУ поменять ее настройки бывает полезно. Ведь без дополнительных настроек планки оперативы могут работать на минимуме своих возможностей. А настроив ОЗУ по-своему, можно разогнать ее — увеличить частоту. Благодаря этому можно повысить производительность компьютера. Однако стоит знать, что не всякая оператива и не все материнки это поддерживают. Так что если такая возможность нужна, стоит озаботиться этим перед покупкой комплектующих.
Совет:
Примечание:
Как настроить оперативную память в БИОСе
Есть три основных способа, которые позволяют изменить настройки в BIOS. Каждый из них соответствует прошивке материнской платы, установленной в системе. По этой причине пользователю следует изучить характеристики материнки прежде, чем что-то менять.
Предупреждение!
Award BIOS
1. Пока компьютер перезагружается, зайти в БИОС с помощью специальной клавиши или сочетания клавиатурных кнопок. Оно может быть разным в зависимости от материнки.
2. Использовать комбинацию Ctrl + F1, чтобы попасть к настройкам.
3. Откроется окошко, где нужно стрелками клавиатуры перейти к «MB Intelligent Tweaker (M.I.T.)» и нажать Enter.
4. В следующем меню найти «System Memory Multiplier». Здесь можно выставить тактовую частоту ОЗУ в большую или меньшую сторону, изменив множитель. Не стоит слишком завышать указанное значение, иначе есть риск сделать только хуже.
Важно!
5. Сохранить изменения параметров, выйти.
После рекомендуется запустить софт для тестирования оперативной памяти. Это может быть AIDA64 или любой доступный пользователю аналог.
Примечание:
AMI BIOS
Эта система особо не отличается от предыдущей. Разве что изменены названия пунктов. Так, после входа нужно найти «Advanced BIOS Features» и перейти в «Advanced DRAM Configuration», а потом поменять настройки аналогично вышеприведенной схеме.
UEFI BIOS
Решение, которое установлено в большинстве современных материнок. Отличается понятным и привлекательным интерфейсом, как правило, русифицировано и поддерживает управление мышью. Для владельцев таких плат перемещение по разделам БИОСа стрелками осталось в прошлом.
Возможностей настройки оперативной памяти здесь значительно больше, чем в предыдущих версиях. Что можно делать, подсказывает таблица.
Источник: